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发明名称
无铬膜层相位移光罩、其制造方法及其制造半导体装置的方法
摘要
本发明系关于一种无铬膜层相位移光罩,包括:一透光基底;至少一第一相位移图案,由至少一环状凹陷所构成;以及一第一次解析透光图案,系由上述环状凹陷所环绕之透光基底所构成,以与上述第一相位移图案构成曝光时所欲之转移图案,此外,本发明亦关于上述光罩之制造方法以及其制造半导体装置之方法。
申请公布号
TW200519528
申请公布日期
2005.06.16
申请号
TW093123087
申请日期
2004.08.02
申请人
台湾积体电路制造股份有限公司
发明人
张仲兴;林佳惠;陈俊光
分类号
G03F7/00
主分类号
G03F7/00
代理机构
代理人
洪澄文;颜锦顺
主权项
地址
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号
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