深次微米制程之多晶矽预掺杂

摘要

一种在半导体元件制造过程中降低掺质污染的方法。此方法包含掺杂第一层，例如是一多晶矽层。于回火制程中伴随着气体的注入，气体可以是氮气、氧气、其混合气体或类似气体。气体造成一覆盖层形成于第一层之上，以预防或降低掺质向外扩散与污染制程反应室。在一较佳实施例中，气体在回火制程之上升阶段时被注入。而覆盖层则于蚀刻第一层前去除。