| 主权项 |
1.一种有机发光面板之画素阻隔层结构,至少包括:一第一阻隔层,配置在一基板上或多数条彼此相互平行之第一电极上,且该第一阻隔层系定义出该些第一电极之画素面积,其中该第一阻隔层至少一部分具有一凹槽;以及一第二阻隔层,配置在该第一阻隔层之该凹槽内,且该凹槽系至少有一部分未被该第二阻隔层填满。2.如申请专利范围第1项所述之有机发光面板之画素阻隔层结构,其中该第一阻隔层的凹槽深度系小于0.3微米。3.如申请专利范围第1项所述之有机发光面板之画素阻隔层结构,其中不具有凹槽之该第一阻隔层的厚度系小于1微米。4.如申请专利范围第1项所述之有机发光面板之画素阻隔层结构,其中该第二阻隔层的厚度系小于3.5微米。5.如申请专利范围第1项所述之有机发光面板之画素阻隔层结构,其中该第一阻隔层的材质包括光阻材料。6.如申请专利范围第1项所述之有机发光面板之画素阻隔层结构,其中该第一阻隔层的材质为聚亚醯胺。7.如申请专利范围第1项所述之有机发光面板之画素阻隔层结构,其中第二阻隔层的材质包括光阻材料。8.如申请专利范围第1项所述之有机发光面板之画素阻隔层结构,其中该第二阻隔层的材质为聚亚醯胺。9.如申请专利范围第1项所述之有机发光面板之画素阻隔层结构,其中该基板系选自玻璃基板、塑胶基板及柔性基板至少其中之一。10.如申请专利范围第1项所述之有机发光面板之画素阻隔层结构,其中该些第一电极的材质系为导电之金属氧化物。11.如申请专利范围第10项所述之有机发光面板之画素阻隔层结构,其中该导电之金属氧化物的材质系选自铟锡氧化物、铝锌氧化物及铟锌氧化物至少其中之一。12.一种有机发光面板之画素阻隔层结构,至少包括:一第一阻隔层,配置在一基板上或多数条彼此相互平行之第一电极上,且该第一阻隔层系定义出该些第一电极之画素面积;以及一第二阻隔层,配置在至少一部分的该第一阻隔层上,且在该第二阻隔层具有一凹槽。13.如申请专利范围第12项所述之有机发光面板之画素阻隔层结构,其中该第一阻隔层之厚度系小于1微米。14.如申请专利范围第12项所述之有机发光面板之画素阻隔层结构,其中该第二阻隔层的厚度系小于3.5微米。15.如申请专利范围第12项所述之有机发光面板之画素阻隔层结构,其中该第一阻隔层的材质包括光阻材料。16.如申请专利范围第12项所述之有机发光面板之画素阻隔层结构,其中该第一阻隔层的材质为聚亚醯胺。17.如申请专利范围第12项所述之有机发光面板之画素阻隔层结构,其中该第二阻隔层的材质包括光阻材料。18.如申请专利范围第12项所述之有机发光面板之画素阻隔层结构,其中该第二阻隔层的材质为聚亚醯胺。19.如申请专利范围第12项所述之有机发光面板之画素阻隔层结构,其中该基板系选自玻璃基板、塑胶基板及柔性基板至少其中之一。20.如申请专利范围第12项所述之有机发光面板之画素阻隔层结构,其中该些第一电极的材质系为导电之金属氧化物。21.如申请专利范围第20项所述之有机发光面板之画素阻隔层结构,其中该导电之金属氧化物的材质系选自铟锡氧化物、铝锌氧化物及铟锌氧化物至少其中之一。图式简单说明:第1图是习知一种被动矩阵式有机发光面板之制程示意图。第2图是是第1图所形成之单一画素区的立体结构示意图。第3图是依照本发明之一种有机发光面板中单一画素区之立体结构示意图。第4图是依照本发明之另一种有机发光面板中单一画素区之立体结构示意图。第5图是依照本发明之又一种有机发光面板中单一画素区之立体结构示意图。 |
