| 主权项 |
1.一种镜片研磨方法,至少包括:置放一镜片于一研磨衬垫之表面上,其中,该镜片具有相对之一光学膜及一待研磨面,该待研磨面系与该研磨衬垫之表面接触;以一流体导引管罩住该镜片,其中,该流体导引管具有相对之一流体入口端及一流体出口端,该流体出口端系具有复数个夹持挡板,该流体出口端系位于该研磨衬垫之上方,并纳入该镜片,该些夹持挡板系与该镜片之侧面接触并夹持该镜片;由该流体入口端连续通入一流体于该流体导引管中,该流体系由该流体出口端流出,其中,该流体系可沿着该光学膜之表面的法线方向平均地施力于该光学膜之表面上,使得该待研磨面与该研磨衬垫紧密接触;以及沿着该研磨衬垫之表面之切线方向移动该研磨衬垫,以研磨该待研磨面。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该流体系一液体。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该流体系一去离子水。4.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该方法于该待研磨面被研磨好后更包括:停止该研磨衬垫之移动;以及停止该液体之提供,并由该流体入口端通入一气体于该流体导引管中,以吹乾该光学膜之表面。5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该气体系一热氮气。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该流体入口端之开口大小系小于该流体出口端之开口大小。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该镜片系一应用于气体雷射上之镜片。8.一种镜片研磨方法,至少包括:置放一镜片于一研磨衬垫之表面上,其中,该镜片具有相对之一光学膜及一待研磨面,该待研磨面系与该研磨衬垫之表面接触;以一流体导引管罩住该镜片,其中,该流体导引管具有相对之一流体入口端及一流体出口端,该流体出口端系具有复数个夹持挡板,该流体出口端系位于该研磨衬垫之上方,并纳入该镜片,该些夹持挡板系与该镜片之侧面接触并夹持该镜片;由该流体入口端连续通入一液体于该流体导引管中,该液体系由该流体出口端流出,其中,该液体系可沿着该光学膜之表面之法线方向平均地施力于该光学膜之表面上,使得该待研磨面与该研磨衬垫紧密接触;沿着该研磨衬垫之表面之切线方向移动该研磨衬垫,以研磨该待研磨面;于该待研磨面被磨好后停止该研磨衬垫之移动;以及停止该液体之提供,并由该流体入口端通入一气体于该流体导引管中,以吹乾该光学膜之表面。9.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该液体系一去离子水。10.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该气体系一热氮气。11.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该流体入口端之开口大小系小于该流体出口端之开口大小。12.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该镜片系一应用于气体雷射上之镜片。图式简单说明:第1图绘示乃传统之气体雷射之镜片及研磨衬垫的剖面图。第2图绘示乃依照本发明之较佳实施例之镜片研磨方法的流程示意图。第3图绘示乃依照本发明之较佳实施例之位于研磨衬垫上之镜片及流体导引管的立体分解图。第4图绘示乃第3图之位于研磨衬垫上之镜片及流体导引管的剖面图。第5图绘示乃第4图之位于研磨衬垫上之镜片及流体导引管的组合剖面图。第6图绘示乃第5图之流体导引管被连续通入一流体及研磨衬垫研磨待研磨面时之状态的剖面图。 |
