静电放电保护装置

摘要

本发明为一种静电放电保护装置，系藉使用金属氧化半导体元件(MOS)、栓锁侦测电路(latch–detected turned–oncircuit)与经自我对准金属矽化制程(Self–AlignedSilicidation,salicide)之金氧半电晶体等装置，使于静电放电发生时使一控制静电放电路径之开关开启，可维持内部电路保持在一定运作电流之静电放电保护装置，并不需于该电晶体之汲极(drain)使用矽化物隔离块来加强静电放电保护能力，而达到稳定运作效能与减少静电防护元件面积之目的。