以薄矽或非矽通道之控制制造于双闸极场效电晶体中制造自我对准之源极及汲极接触点之方法

摘要

本发明系关于一种用于形成电晶体结构于基板(SOI)之方法，该基板系包含一支撑的矽层(1)、一埋入的绝缘层(2)与一顶部的矽层(3)，该顶部的矽层系具有一顶层厚度且包含一高度掺杂，该种电晶体结构系包含一闸极区域(G1)、与一源极及汲极区域(5)。该种方法更包含：形成闸极区域(G1)于顶部的矽层(3)，闸极区域(G1)与顶部的矽层(3)系藉由一介电层(GD)而分开；形成一开放区域(O1)于顶部的矽层(3)，藉由一个划界氧化物及／或电阻层区域(4)而划界；及，藉由离子植入形成高度杂质或重度受损区域，将开放区域(O1)暴露至一离子束(IB)，而划界层区域(4)与闸极区域(G1)系作用为植入光罩。离子束(IB)系包含一束能量与一剂量之一组合，其允许在源极及汲极区域(5)与于埋入的绝缘层(2)之下方的高度杂质区域(L1)形成在顶部矽层(3)，以及形成在顶部矽层(3)之闸极区域(G1)下方的一高度杂质或重度受损区域(L0)。