| 摘要 |
本发明系包括：内部电极层3、与具有未满2μm之厚度的层间介电质层2之层积陶瓷电容器1，其特征在于：前述层间介电质层2系包含复数之介电质粒子2a所构成，前述介电质层2中的介电质粒子2a全体之粒度分布之标准差σ(无单位)，当前述层间介电质层2中的介电质粒子2a之全体平均粒径为D50(单位：μm)，具有平均粒径在前述D50之2.25倍以上之介电质粒子(粗粒)在前述介电质粒子2a全体中之存在比率为p(单位：％)时，前述σ与p，满足σ＜0.130，p＜12％之层积陶瓷电容器1。藉由本发明，即使在将层间介电质层2薄层化之情况下，也可以提供可期待各种电气特性，特别是同时具有充分之介电率且TC偏压特性增加之层积陶瓷电容器1。 |
