深沟渠式电容器及其制造方法

摘要

一种深沟渠式电容器及其制造方法，其制造方法系先在基底中形成深沟渠，并在深沟渠的下部与底部的周缘形成掺杂区，之后，在深沟渠中掺杂区周缘渠壁上形成介电层，然后，在介电层之间的深沟渠中形成第一导电层，接着，在深沟渠中部渠壁上形成领氧化层，并于领氧化层的表面上形成导电间隙壁，其后，以原子层沉积法在基底上形成一原子沉积法所沉积之导电材料层，以填入导电间隙壁之间，并且覆盖领氧化层，接着，在深沟渠上部的导电材料层之间形成一第二导电层，接着，以第二导电层为罩幕，蚀刻去除未被第二导电层所覆盖的导电材料层，再去除深沟渠上部之领氧化层，然后，在深沟渠上部形成一第三导电层，以电性连接第二导电层、导电材料层与导电间隙壁。