| 摘要 |
Конструкция биполярных транзисторов, используемых в стабилизированных по ширине запрещенной зоны источниках тока или напряжения для формирования разности напряжений база-эмиттер при разной плотности тока, состоящая у каждого транзистора из коллекторной области, в которой расположена область базы, содержащая область эмиттера с контактом к ней и контакт к базе, причем при отношении токов в транзисторах как 1 к Р у транзистора с меньшим током площадь области эмиттера в S раз больше, чем у транзистора с большим током, отличающаяся тем, что у обоих транзисторов области эмиттеров и баз имеют прямоугольную форму, а контакты к каждой базе расположены по одну сторону от области эмиттера, контакт к которой у каждого транзистора выполнен по всей поверхности области с минимально-допустимым отступом от краев, размеры областей эмиттеров вдоль оси эмиттер - контакт к базе и расстояния между областями эмиттера и контактами к базе у транзисторов с большим и меньшим током относятся как 1 к квадратному корню из произведения S на Р, а поперечные размеры их областей эмиттера, как и областей базы, относятся как 1 к квадратному корню от S, деленного на Р. |
