用以制造一非挥发性铁电记忆体装置之方法及由该方法所获得之记忆体装置

摘要

本发明系关于包含一电晶体(22)和一电容器(23)之非挥发性铁电记忆体装置(30)，尤其关于非挥发性电抹除可程式铁电记忆体元件，以及一种用于处理该等非挥发性铁电记忆体装置(30)之方法。根据本发明之方法包含：一些限制之光罩步骤，因为该电晶体(22)之一闸极介电层和该电容器(23)之一介电层系由相同之有机或无机铁电层(14)形成。