发明名称 光二极体的制作方法
摘要 一种光二极体的制作方法,其中此光二极体形成于第一导电型之一基底上。此方法系先形成一隔离结构于基底中,以于基底中定义出光感测区。接着,于基底中形成多个沟槽。之后,于基底上形成第二导电型之一掺杂层,其中此掺杂层至少覆盖沟槽之内壁与基底之部分顶面。此光二极体的制作方法可缩短整体制程时间,并达到增加生产效率与降低生产成本的目的。
申请公布号 TW200534495 申请公布日期 2005.10.16
申请号 TW093109688 申请日期 2004.04.08
申请人 力晶半导体股份有限公司 发明人 张格荥;张驌远
分类号 H01L31/101 主分类号 H01L31/101
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行一路12号