发明名称 | 光二极体的制作方法 | ||
摘要 | 一种光二极体的制作方法,其中此光二极体形成于第一导电型之一基底上。此方法系先形成一隔离结构于基底中,以于基底中定义出光感测区。接着,于基底中形成多个沟槽。之后,于基底上形成第二导电型之一掺杂层,其中此掺杂层至少覆盖沟槽之内壁与基底之部分顶面。此光二极体的制作方法可缩短整体制程时间,并达到增加生产效率与降低生产成本的目的。 | ||
申请公布号 | TW200534495 | 申请公布日期 | 2005.10.16 |
申请号 | TW093109688 | 申请日期 | 2004.04.08 |
申请人 | 力晶半导体股份有限公司 | 发明人 | 张格荥;张驌远 |
分类号 | H01L31/101 | 主分类号 | H01L31/101 |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行一路12号 |