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发明名称
接触窗的制造方法及自行对准接触窗结构
摘要
一种接触窗的制造方法,此方法系先提供具有多个闸极结构之基底,且闸极结构系由闸介电层、闸极导电层与顶盖层所构成。然后,于闸极结构的侧壁形成间隙壁。接着,在于基底上形成衬层后,于相邻二闸极结构之间的表面形成保护层。继之,于基底上形成介电层,覆盖保护层及衬层。然后,进行图案化制程,蚀刻介电层、保护层、衬层与顶盖层,以形成接触窗开口,以及形成位于相邻二闸极结构之间,且暴露出基底之自行对准接触窗开口。接着,于接触窗开口与自行对准接触窗开口中填入导电层。
申请公布号
TW200534427
申请公布日期
2005.10.16
申请号
TW093109017
申请日期
2004.04.01
申请人
茂德科技股份有限公司
发明人
彭鑫堂
分类号
H01L21/768
主分类号
H01L21/768
代理机构
代理人
詹铭文;萧锡清
主权项
地址
新竹市新竹科学工业园区力行路19号3楼
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