发明名称 接触窗的制造方法及自行对准接触窗结构
摘要 一种接触窗的制造方法,此方法系先提供具有多个闸极结构之基底,且闸极结构系由闸介电层、闸极导电层与顶盖层所构成。然后,于闸极结构的侧壁形成间隙壁。接着,在于基底上形成衬层后,于相邻二闸极结构之间的表面形成保护层。继之,于基底上形成介电层,覆盖保护层及衬层。然后,进行图案化制程,蚀刻介电层、保护层、衬层与顶盖层,以形成接触窗开口,以及形成位于相邻二闸极结构之间,且暴露出基底之自行对准接触窗开口。接着,于接触窗开口与自行对准接触窗开口中填入导电层。
申请公布号 TW200534427 申请公布日期 2005.10.16
申请号 TW093109017 申请日期 2004.04.01
申请人 茂德科技股份有限公司 发明人 彭鑫堂
分类号 H01L21/768 主分类号 H01L21/768
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行路19号3楼