形成单侧埋入式带状层结构之方法

摘要

一种形成单侧埋入式带状层结构之方法系被揭露，包含提供一基材，基材具有一垫氧化层。形成一深沟渠于基材内，并形成一沟渠式电容元件于深沟渠之较低部份。形成一共形金属化合物层覆盖基材及沟渠式电容元件。共形金属化合物层之蚀刻选择比与沟渠式电容元件以及垫氧化层不同。形成一共形非晶矽层覆盖共形金属化合物层。以一预定角度对共形非晶矽层进行硼离子植入，以使深沟渠内共形非晶矽层之一单侧区域具有不同之蚀刻选择比。蚀刻共形非晶矽层之单侧区域，以及其下之共形金属化合物层和沟渠式电容元件之一部份，以形成单侧埋入式带状层结构。