| 主权项 |
1.一种低温超平坦之铟锡氧化物(indium tin oxide, ITO)制程,包括下列步骤:(a)提供一基板;(b)以一溅镀制程形成一非晶质ITO层于该基板上,其中该溅镀制程的温度系大抵控制在10-50℃,并导入1-5sccm氢气于该溅镀制程中;(c)利用一蚀刻溶液去除部分该非晶质ITO层,而形成残余之该非晶质ITO层于该基板上;以及(d)进行一低温热处理制程,使残余之该非晶质ITO层成为一晶质ITO层,其中该低温热处理制程的温度系控制在100-150℃,经由30分钟时间处理之。2.如申请专利范围第1项所述的低温超平坦之铟锡氧化物制程,其中在步骤(d)之后,更包括:(e)对该晶质ITO层进行一氧电浆处理(O2 plasmatreatment)。3.如申请专利范围第2项所述的低温超平坦之铟锡氧化物制程,其中在步骤(e)之后,更包括:(f)形成一有机电激发光二极体(OLED)结构于该晶质ITO层上,并且以该晶质ITO层作为该OLED结构之一透明电极层。4.如申请专利范围第1项所述的低温超平坦之铟锡氧化物制程,其中该基板系由塑胶材料所构成。5.如申请专利范围第1项所述的低温超平坦之铟锡氧化物制程,其中该基板系由绝缘材料所构成。6.如申请专利范围第5项所述的低温超平坦之铟锡氧化物制程,其中该基板中更包括有一电晶体结构。7.如申请专利范围第5项所述的低温超平坦之铟锡氧化物制程,其中该绝缘材料系二氧化矽。8.如申请专利范围第1项所述的低温超平坦之铟锡氧化物制程,其中该基板的厚度系1000-1500埃。9.如申请专利范围第1项所述的低温超平坦之铟锡氧化物制程,其中该溅镀制程的温度系控制在室温(约25℃)。10.如申请专利范围第1项所述的低温超平坦之铟锡氧化物制程,其中,导入该溅镀制程的氢气系大抵控制在1-5sccm。11.如申请专利范围第10项所述的低温超平坦之铟锡氧化物制程,其中,导入该溅镀制程的氢气系控制在3sccm。12.如申请专利范围第1项所述的低温超平坦之铟锡氧化物制程,其中,可更包括导入氩气该溅镀制程中。13.如申请专利范围第1项所述的低温超平坦之铟锡氧化物制程,其中,可更包括导入氧气该溅镀制程中。14.如申请专利范围第1项所述的低温超平坦之铟锡氧化物制程,其中该蚀刻溶液系草酸溶液。15.如申请专利范围第1项所述的低温超平坦之铟锡氧化物制程,其中该低温热处理制程的温度系控制在约140℃。16.如申请专利范围第1项所述的低温超平坦之铟锡氧化物制程,其中在步骤(d)之后,不需对该晶质ITO层进行平坦化制程。图式简单说明:第1图系显示本发明之制程剖面图。第2图系显示本发明之制程剖面图。第3图系显示本发明之制程剖面图。第4图系显示本发明之制程剖面图。第5图系显示本发明之制程剖面图。 |
