| 主权项 |
1.一种去除蚀刻残余之聚合物的方法,包括:提供形成有一图案化金属硬罩幕层与一镶嵌开口的一基板,其中该镶嵌开口之侧壁上形成有一聚合物,该聚合物系为形成该镶嵌开口之一乾蚀刻步骤的蚀刻残余物,且该乾蚀刻步骤使用含氟的蚀刻气体;使用一含氢电浆处理该基板,其中该含氢电浆的产生气体包括氢气与氮气,在该含氢电浆处理的步骤中,氢气之流量为50~800sccm,氮气之流量为10-500sccm,所用功率为50~2000W,且压力为30mTorr ~1Torr;以及使用湿式清洁法去除该基板上的该聚合物。2.如申请专利范围第1项所述之去除蚀刻残余之聚合物的方法,其中该含氢电浆处理步骤系以原位(in-situ)之方式,在该乾蚀刻步骤所使用的同一蚀刻室中进行。3.如申请专利范围第1项所述之去除蚀刻残余之聚合物的方法,其中该镶嵌开口系为一双镶嵌开口。4.如申请专利范围第1项所述之去除蚀刻残余之聚合物的方法,其中该镶嵌开口系形成在一氧化矽层或一矽基低介电常数材料层中。5.如申请专利范围第1项所述之去除蚀刻残余之聚合物的方法,其中该湿式清洁步骤系使用一含四级铵盐的水溶液去除该基板上的该聚合物。6.一种去除蚀刻残余之聚合物的方法,包括:提供形成有一图案化金属硬罩幕层与一镶嵌开口的一基板,其中该镶嵌开口之侧壁上形成有一聚合物,该聚合物系为形成该镶嵌开口之一乾蚀刻步骤的蚀刻残余物,且该乾蚀刻步骤使用含氟的蚀刻气体;使用一含氢电浆处理该基板,其中该含氢电浆的产生气体包括氢气与作为载气的钝气,在该含氢电浆处理步骤中,氢气之流量为50~800sccm,所用功率为50~2000W,且压力为30mTorr ~1Torr:以及使用湿式清洁法去除该基板上的该聚合物。7.如申请专利范围第6项所述之去除蚀刻残余之聚合物的方法,其中该含氢电浆处理步骤系以原位(in-situ)之方式,在该乾蚀刻步骤所使用的同一蚀刻室中进行。8.如申请专利范围第6项所述之去除蚀刻残余之聚合物的方法,其中该钝气为氩气或氦气。9.如申请专利范围第6项所述之去除蚀刻残余之聚合物的方法,其中该镶嵌开口系为一双镶嵌开口。10.如申请专利范围第6项所述之去除蚀刻残余之聚合物的方法,其中该镶嵌开口系形成在一氧化矽层或一矽基低介电常数材料层中。11.如申请专利范围第6项所述之去除蚀刻残余之聚合物的方法,其中该湿式清洁步骤系使用一含四级铵盐的水溶液去除该基板上的该聚合物。图式简单说明:图1绘示常见的双镶嵌开口制程的一例。图2~3接续图1,为本发明较佳实施例之去除蚀刻残余之聚合物的方法的流程剖面图。 |
