用以制作金氧半电晶体之准结构、形成导电线路及其准结构之方法、积体电路及其形成方法

摘要

由于对闸极下方之源／汲极进行高温回火后，再进行金属矽化复晶矽闸极电极，常会因为深度矽化而造成闸极氧化层的受损。因此，本发明藉由形成化学氧化物以分隔两复晶矽层之闸极电极来解决上述问题，藉此该化学氧化物可于回火期间避免复晶矽层之晶粒与另一复晶矽层之晶粒合并。因此，金属矽化物会完全限制在复晶矽层之顶部，该低阻值之金属矽化物可透过化学氧化物连接底部复晶矽层。