发明名称 POLISHING COMPOSITION POLISHING METHOD AND METHOD FOR PRODUCING SUBSTRATE
摘要 STI 등의 CMP 용도에서 산화세륨 지립을 함유한 연마용 조성물의 대체로서 사용이 가능한 연마용 조성물을 제공하는 것, 또한 그 연마용 조성물을 사용한 연마 방법 및 기판의 제조 방법을 제공한다. pH6 이하의 수용액 중에 있어서 양의 제타 전위를 나타내는 pH 영역이 있는 물질을 포함하는 층을 연마하는 용도로 사용되고, 지립 (A)와 지립 (B)와 pH 조정제를 포함하고, 상기 지립 (B)는 pH6 이하의 수용액 중에 있어서 음의 제타 전위를 갖고, 또한 상기 지립 (B)의 평균 2차 입자 직경의 값이 상기 지립 (A)의 평균 2차 입자 직경의 값보다 작고, 15nm 이하인 지립이고, pH가 6 이하인 연마용 조성물이다.
申请公布号 KR20160135194(A) 申请公布日期 2016.11.25
申请号 KR20167025201 申请日期 2015.03.09
申请人 FUJIMI INCORPORATED 发明人 YAMATO YASUYUKI
分类号 C09G1/02;C09K3/14;H01L21/304;H01L21/306;H01L21/3105 主分类号 C09G1/02
代理机构 代理人
主权项
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