后护层制程与形成聚合物层于晶片上之制程

摘要

一种后护层制程，其例如包括下列步骤。首先，提供一晶片，而晶片例如包括至少一接垫与一保护层，其中保护层例如具有一开口，暴露出接垫。然后，形成一图案化金属线路与一聚合物层于保护层上，而聚合物层的材质包括聚亚醯胺。其中，形成聚合物层包括下列步骤。形成一且醯胺预聚物层于保护层上。然后，加热亚醯胺预聚物层至低于摄氏320度的温度，以硬化亚醯胺预聚物层。由于硬化温度系低于摄氏320度，故此后护层制程可缓和热预算的压力，并改善介金属化合物的产生。