| 摘要 |
本发明系说明一方法，用来将一薄膜层自一原始基板中分离并转移至一目标基板表面。本发明之方法是：(1)先进行一磊晶生长制程形成一薄膜在一原始基板上，并使得此该薄膜层内的掺杂原子在浓度或种类上与该原始基板有差异；(2)执行一离子植入制程，将离子或分子植入该原始基板写且植入深度大于在该薄膜层厚度，在该薄膜层与该植入离子浓度高峰处之间，形成一充满植入离子的催化反应层；(3)接着利用晶圆键合法，将该原始基板与一目标基板键结成一键合构造体；然后(4)升高该键合构造体温度，在此温度范围内对该键合构造体内植入离子进行一激活处理，使在该植入离子浓度高峰处与该薄膜之间散布的植入离子，藉由掺杂原子进行催化反应(catalysis)，聚合成气体分子，造成在该薄膜层底下支撑固体之碎裂，进而(5)将该薄膜层自该原始基板分离并转移至该目标基板上。 |
