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发明名称
蚀刻装置及蚀刻方法
摘要
本发明系提供可确实地蚀刻半导体晶圆之边缘部之蚀刻装置。该蚀刻装置包含:固持驱动机构,系用以固持半导体晶圆使其倾斜成元件面位于倾斜方向下侧,且驱动该半导体晶圆于圆周方向旋转者;及控制用构件,系包括:液体承接部,系设于与固持于该固持驱动机构之半导体晶圆下端部相对应的位置,且与基板之外周面相向,同时会供给蚀刻液者;及导液部,系与基板之元件面的边缘部相向,且利用表面张力将供给至液体承接部的蚀刻液引导至半导体晶圆之元件面的边缘部。
申请公布号
TW200607018
申请公布日期
2006.02.16
申请号
TW094124326
申请日期
2005.07.19
申请人
芝浦机械电子装置股份有限公司
发明人
长田健
分类号
H01L21/306
主分类号
H01L21/306
代理机构
代理人
恽轶群;陈文郎
主权项
地址
日本
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