| 主权项 |
1.一种电子装置、光电装置、或机电装置之制造 方法,该方法包括下列步骤:a)将牺牲材料层配置于 装置基材上;b)将覆盖层材料配置于该牺牲材料层 上;及然后c)将该牺牲材料层移除而形成气隙;其中 ,该牺牲材料层包括交联聚合物。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中,该牺牲材料 为可光成像者。 3.如申请专利范围第1项之方法,其中,该装置基材 包括金属线。 4.如申请专利范围第1至3项中任一项之方法,复包 括下列步骤:i)将该覆盖层材料及该牺牲材料层图 案化,以形成特征结构;以及ii)将金属沉积于该等 特征结构中,其中,在步骤b)之后及步骤c)之前进行 步骤i)及步骤ii)。 5.如申请专利范围第1至3项中任一项之方法,其中, 该覆盖层材料具有足以将该牺牲材料层经由该覆 盖层材料移除之孔隙度。 6.如申请专利范围第1至3项中任一项之方法,复包 括下列步骤:视需要将该覆盖层材料固化以获得所 需之机械性质;将该牺牲材料层图案化,以形成所 需之机电特征结构;以及将该牺牲材料层移除。 7.一种电子装置,该电子装置包括:含金属线及于该 等金属线之间配置的牺牲材料层之第一层、以及 于该等金属线与该牺牲材料层上配置之第二层;其 中,该牺牲材料层包括交联聚合物。 8.一种电子装置,该电子装置包括金属线及于该等 金属线之间配置的牺牲材料、以及于该牺牲材料 上配置且与该等金属线相邻之覆盖层材料。 9.一种电子装置,该电子装置包含于基材上形成之 铜线、其上配置有一层或多层铜扩散阻障层之铜 线、于至少部份铜线与该铜扩散阻障层之间所形 成的气隙、以及于该铜扩散阻障层与该气隙之上 所配置的多孔性覆盖层材料。 10.一种电子装置,该电子装置结构包括于基材上配 置之金属线、于至少部份金属线之间所形成的气 隙、以及覆盖层材料,该覆盖层材料系配置于气隙 上且与该等金属线相邻。 图式简单说明: 第1A至1D图系说明本发明气隙形成之一具体实施例 (未按比例绘制)。 第2A至2D图系说明本发明气隙形成之另一具体实施 例(未按比例绘制)。 第3图系说明根据本发明所形成的具有气隙之替代 结构(未按比例绘制)。 第4A至4D图系说明本发明气隙形成之又一具体实施 例(未按比例绘制)。 |
