发明名称 SEMICONDUCTOR DEVICE WITH MULTIPLE THRESHOLD VOLTAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
摘要 예시적인 실시예에 따르면, 칩이 제공된다. 칩은 제1 임계치를 갖는 제1 수직 소자와 제2 임계치를 갖는 제2 수직 소자를 포함한다. 제1 수직 소자는, 제1 소스와, 상기 제1 소스 위의 제1 채널과, 상기 제1 채널 위의 제1 드레인과, 상기 제1 채널에 인접한 제1 게이트 유전체와, 상기 제1 게이트 유전체에 인접한 제1 도전층과, 상기 제1 도전층에 인접한 제1 게이트 금속을 포함한다. 제2 수직 소자는, 제2 소스와, 상기 제2 소스 위의 제2 채널과, 상기 제2 채널 위의 제2 드레인과, 상기 제2 채널에 인접한 제2 게이트 유전체와, 상기 제2 게이트 유전체에 인접한 제2 도전층과, 상기 제2 도전층에 인접한 제2 게이트 금속을 포함한다.
申请公布号 KR101702721(B1) 申请公布日期 2017.02.06
申请号 KR20140176030 申请日期 2014.12.09
申请人 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 发明人 왕 리팅;차이 텡춘;린 쳉퉁;첸 데팡;창 후이청
分类号 H01L29/72 主分类号 H01L29/72
代理机构 代理人
主权项
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