| 摘要 |
Verfahren zum Einbringen eines Fremdstoffes in einen Halbleiterkörper, aufweisend folgende Merkmale: – Herstellung eines porösen Halbleiterkörpergebiets, wobei – mindestens ein Graben (13), ausgehend von einer Oberfläche (11) eines Halbleiterkörpers (10), in den Halbleiterkörper (10) hinein erzeugt wird, – danach mindestens ein poröses Halbleiterkörpergebiet (14) in dem Halbleiterkörper (10), ausgehend von dem mindestens einen Graben (13), zumindest entlang eines Teils der Seitenwände des Grabens (13) erzeugt wird und – danach der Graben (13) mit einem Halbleitermaterial (15) des Halbleiterkörpers (10) epitaktisch aufgefüllt wird; – Bereitstellen eines Fremdstoffes in dem porösen Halbleiterkörpergebiet (14), – Erwärmen des Halbleiterkörpers (10) mit dem darin erzeugten porösen Halbleiterkörpergebiet (14), wobei der Fremdstoff entlang des porösen Halbleiterkörpergebiets (14) diffundiert. |
