ゲートパターニングのためのリソグラフィマージプロセス

摘要

ダイ上でデバイスを作製するための方法、およびダイ上のデバイス。方法は、第１のプロセスを用いて、第１のゲート長と第１のコンタクトポリシリコンピッチ（ＣＰＰ）とを有する第１のゲートを作製するための第１の領域をパターニングするステップを含み得る。第１のＣＰＰは単一パターンリソグラフィ限界よりも小さい。本方法はまた、第２のプロセスを用いて、第２のゲート長または第２のＣＰＰを有する第２のゲートを作成するために第１の領域をパターニングするステップを含む。第２のＣＰＰは単一パターンリソグラフィ限界よりも小さい。第２のゲート長は第１のゲート長とは異なる。