发明名称 SUBSURFACE GALLIUM ARSENIDE SCHOTTKYTYPE DIODE AND METHOD OF FABRICATING SAME
摘要
申请公布号 GB1322369(A) 申请公布日期 1973.07.04
申请号 GB19700038928 申请日期 1970.08.12
申请人 VARIAN ASSOCIATES 发明人
分类号 H01L29/872;H01L21/00;H01L29/00;H01L29/207;H01L29/47;(IPC1-7):H01L3/20 主分类号 H01L29/872
代理机构 代理人
主权项
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