| 摘要 |
본 발명은 하기 화학식 1 및 화학식 2로 표시되는 반복 단위를 포함하고, 중량 평균 분자량이 1,000 내지 50,000인 고분자 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 화학 증폭 네가티브형 레지스트 조성물을 제공한다. <화학식 1><화학식 2>(식 중, R, R는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, X는 전자 흡인기를 나타낸다. 또한, m은 0 또는 1 내지 4의 정수이며, n은 1 내지 5의 정수이다.) 본 발명에 따르면, 히드록시스티렌 단위와 전자 흡인기가 치환된 스티렌 단위를 반복 단위로서 포함하는 고분자 화합물을 함유하는 화학 증폭 네가티브형 레지스트 조성물을 사용함으로써, 0.1 ㎛보다도 더욱 미세한 패턴을 형성할 때에도, 패턴 사이에 레지스트가 브릿지를 형성하는 문제가 발생하기 어려워, 높은 해상성을 제공하는 레지스트막을 형성할 수 있다. |
