| 摘要 |
n드리프트층이 되는 n형 반도체 기판의 이면으로부터 복수회의 프로톤 조사(照射)를 반복적으로 행하여, n드리프트층의 기판 이면측의 내부에, n형 반도체 기판보다 저(低)저항인 n형 FS층을 형성한다. 상기 n형 FS층을 형성하기 위한 복수 회의 프로톤 조사시에, 전회(前回)의 프로톤 조사에서 남겨진 디스오더(7)에 의한 이동도 저하를 보상하도록, 차회(次回)의 프로톤 조사를 행한다. 이때, 2회째 이후의 프로톤 조사를, 그 1회 앞의 프로톤 조사에 의해 형성된 디스오더(7)의 위치를 목표로 하여 프로톤 조사를 행한다. 이로써, 프로톤 조사 및 열처리 후에도, 디스오더(7)가 적고, 누출 전류의 증가 등의 특성 불량의 발생을 억제할 수 있으며, 또한 고농도의 수소 관련 도너층을 갖는 n형 FS층을 형성할 수가 있다. |
