| 主权项 |
1﹒一种产制一或多种半导体物质成型体的方法,其过程包括使一层半导体物质从气体状态沉积到一个被加热之中空载体外表面,或沉积到彼此相隔离之两载体之相互隔离表面上,随后从已形成之半导体上移去载体,其中每一载骿由置于该中空载体之内或者该隔离载体之间的一加热体所间接加热,并且加热到半导体物质沉积温度之上的一个温度。2﹒依照请求专利部份第1项之一个方法,其中该加热体被加热到该半导体物质最大沉积温度至少200℃之上的一个温度。3﹒依照请求专利部份第1项之一个方法,其中该加热体被形成相当于该载体之形状。4﹒依照请求专利部份第1至3项的一个方法,其中该加热体成碳棒之形式,其下端由一根电极支持,其上端则连到一个管子之一封闭端,该石墨管之下端连到一个电极,则该碳棒/管子装配可直接加热。5﹒依照请求专利部份第4项之一个方法,其中该碳棒是由其石墨端盖螺纹与该管子衔接而连到该石墨管子。6﹒依照任何前项请求专利部份之一个方法,其中载体是以一石墨中空体做成。7﹒依照任一前项请求专利部份之一个方法,其中至少有两个直立安装之石墨加热体被使用来生产至少两个半导体物质中空体,每一该加热体下端各由一个电极支持,而上端由一石墨桥面彼此相连8﹒依照任一前项请求专利部份之一个方法,其中该载体是一中空体并且外表面设有凹穴。9﹒依照请求专利部份第8项之一个方法,其中该凹定是成狭槽或孔状。10﹒依照请求专利部份第1至3项,或与之有关的6至9项中的一个方法,其中该载横是石墨棒形式,有一轴向盲狭槽从一端延伸出来,该棒无狭槽的一端与载体接触,并且棒子另一端由狭槽分开的两个部份各连到一根电极,棒子由经该电极流到棒子之直通电流加照。11﹒依照请求专利部份任一前项之一个方法,其中载体之温度是由改变该加热体及载体之间的距离而调整的。12﹒参照图1或图2.或图3及4.或图5至图8任一图而叙述之一种产制一或多种半导体物质成型体之方法。13﹒依照请求专利部份第1至12项中任一项之方法所产制之半导体物质的一种成型体。14﹒依照请求专利部份第13项中之一种矽管。15﹒执行请求专利部份第7项之一个方法的装置,包括有一气体入口及一出口之反应室,至少两个直立安装在该室中之管状石墨载体,各在该载体中延伸的碳加热体,其下端各由一电极支持,加热体上端由一导电石墨桥彼此相连,此石墨桥同时亦做为直立安装之管状载体的夹持物。16﹒执行请求专利部份第4项之一个方法的装置,包括一个具有气体入口及气体出口之反应室,一个装在该室中之直立管状载体,以及装在该载体中并含有一石墨杆之一个加热体,其上端有一石墨盖连到围住石墨棒之石墨管,石墨棒及石墨管各连到一根电极,以便接到电源。17﹒执行请求专利部份第10项之一个方法的装置,包括一个具有一气体入口及一气体出口之反应室,一个装在该室中而一端封闭之管状载体,以及装在该载体中并有一轴向盲狭槽从一端延伸之石墨加热体,该加热体没有狭槽之一端与该载体接触,加热体另一端由该狭槽分开之两个部份各连到一根电极,以接至电源。18﹒在此参照图1.或图2.或图3及4.或图5至8中任一图而叙述而用以执行请求专利部份第1项之一种方法的装置。 |
