反熔丝式单次可编程存储器单元阵列及其操作方法

摘要

一种反熔丝式单次可编程(OTP)存储器单元阵列包括多个单位单元，其分别位于多个行与多个列的交叉点；阱区，其被所述多个单位单元所共享；多个反熔丝栅极，其分别被设置在所述多个列以与所述阱区相交；多个源极/漏极区，其分别被设置在所述阱区的介于所述多个反熔丝栅极之间的部分中；以及多个漏极区，其分别被设置在所述阱区的位于被排列于最后一列的所述反熔丝栅极的与排列在第一列的所述反熔丝栅极相对的一侧的部分中。所述单位单元的每一个包括反熔丝晶体管，无选择晶体管，所述反熔丝晶体管具有MOS晶体管结构。

主权项

一种反熔丝式单次可编程OTP存储器单元阵列，其包括分别位于多个行与多个列的交叉点的多个单位单元，所述反熔丝式OTP存储器单元阵列包括：多个阱区，其分别被设置在所述多个行；多个反熔丝栅极，其分别被设置在所述多个列以与所述多个阱区相交；多个源极/漏极区，其分别被设置在所述阱区的介于所述多个反熔丝栅极之间的部分中；以及多个漏极区，其分别被设置在位于被设置在最后一列的最后反熔丝栅极的一侧的所述阱区中，所述最后反熔丝栅极的所述一侧与被设置在第一列的第一反熔丝栅极相对，其中所述单位单元的每一个包括一个反熔丝晶体管，无选择晶体管，所述反熔丝晶体管具有金属氧化物半导体MOS晶体管结构。