| 摘要 |
본 발명은, 보다 높은 게터링 능력을 가지며, 또한, 에피텍셜층 표면의 헤이즈 레벨(haze level)이 저감된 반도체 에피텍셜 웨이퍼를 제조하는 방법의 제공을 목적으로 한다. 본 발명의 반도체 에피텍셜 웨이퍼의 제조 방법은, 반도체 웨이퍼(10)에 클러스터 이온(Cluster Ions; 16)을 조사하여, 반도체 웨이퍼의 표면(10A)에, 클러스터 이온(16)의 구성 원소로 이루어진 개질층(18)을 형성하는 제 1 공정과, 상기 제 1 공정 후에, 반도체 웨이퍼 표면(10A)의 헤이즈 레벨이 0.20ppm 이하가 되도록, 결정성(結晶性) 회복을 위한 열처리를 반도체 웨이퍼(10)에 대해 행하는 제 2 공정과, 상기 제 2 공정 후에, 반도체 웨이퍼의 개질층(18) 상에 에피텍셜층(20)을 형성하는 제 3 공정을 가지는 것을 특징으로 한다. |
