| 摘要 |
1. Устройство, содержащее:пару собирающих электродов, противолежащих по отношению друг к другу;полупроводник, расположенный между парой собирающих электродов;управляющий электрод, размещенный смежно с одним из пары собирающих электродов; илегированную область полупроводника, имеющую пространственно-модулированный легирующий профиль и расположенную поверх по меньшей мере участка управляющего электрода и внутри полупроводника.2. Устройство по п. 1, в котором первый собирающий электрод из пары собирающих электродов является катодом, а второй собирающий электрод из пары собирающих электродов является анодом.3. Устройство по п. 1, в котором управляющий электрод представляет собой множество электродов, размещенных смежно со вторым собирающим электродом.4. Устройство по п. 1, в котором легирующий профиль включает в себя множество легирующих атомов по меньшей мере одного легирующего материала.5. Устройство по п. 1, в котором множество легирующих атомов вводятся посредством сканирующего ионного пучка; при этом множество легирующих атомов генерируются посредством термовакуумного испарения через маску, предварительно прикрепленную к полупроводнику таким образом, что покрыты только области управляющего электрода; или при этом множество легирующих атомов вводятся посредством термовакуумного испарения на маску, предварительно прикрепленную к полупроводнику таким образом, что покрыты только области управляющего электрода, и за которым следует последующее нагревание полупроводника для обеспечения возможности локальной диффузии множества легирующих атомов в глубину.6. Устройство по п. 1, в котором |
