发明名称 OMKOPPLINGS- OCH LAGRINGS-HALVLEDARANORDNING
摘要 A Schottky barrier non-volatile bistable switch and memory device, such as a rhodium contact on gallium arsenide. In one embodiment, a field effect transistor with bistable Schottky contact is made. The latter is employed in storage cell arrangement.
申请公布号 SE384599(B) 申请公布日期 1976.05.10
申请号 SE19720011839 申请日期 1972.09.14
申请人 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 发明人 MOSER A
分类号 H01L29/80;G11C16/02;H01L21/00;H01L21/285;H01L21/338;H01L29/167;H01L29/47;H01L29/812;H01L29/872;(IPC1-7):01L29/64;01L29/80 主分类号 H01L29/80
代理机构 代理人
主权项
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