发明名称 Procedimiento y dispositivo de purificación de silicio
摘要 Dispositivo de purificación (20) de silicio fundido, que comprende un recinto (21) que comprende un crisol (2; 15) para almacenar el silicio fundido y un dispositivo de calentamiento (4) para calentar el silicio fundido contenido dentro del crisol, estando el recinto equipado con un dispositivo (22) para reducir drásticamente la presión en el interior del recinto, caracterizado por que comprende al menos un evaporador (10; 10, 10') dispuesto en el interior del recinto para recibir una parte del silicio fundido, de modo que el silicio fundido presente una gran interfase con el vapor a baja presión presente en el interior del recinto (21) para favorecer y acelerar la purificación del silicio fundido y caracterizado por que comprende al menos un dispositivo de renovación o recirculación del silicio fundido en el al menos un evaporador (10; 10, 10').
申请公布号 ES2586529(T3) 申请公布日期 2016.10.17
申请号 ES20120806494T 申请日期 2012.12.21
申请人 Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives 发明人 BONINO, Olivier;PELLETIER, David
分类号 C01B33/037;B01D1/22 主分类号 C01B33/037
代理机构 代理人
主权项
地址