| 发明名称 |
GATEEELECTRODE FORMATION METHOD OF JUNCTION TYPE EFFECT TRANS ISTOR |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPS5224081(A) |
申请公布日期 |
1977.02.23 |
| 申请号 |
JP19750100439 |
申请日期 |
1975.08.18 |
| 申请人 |
MATSUSHITA ELECTRONICS CORP |
发明人 |
KAWASAKI HIDEO |
| 分类号 |
H01L29/80;H01L21/28;H01L29/04;H01L29/06;H01L29/40;H01L29/417 |
主分类号 |
H01L29/80 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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