发明名称 Leseverfahren einer Speichervorrichtung
摘要 Leseverfahren für eine nicht-flüchtige Speichervorrichtung mit Multi-Level-Zellen, wobei das Verfahren folgende Verfahrensschritte aufweist: Vorsehen eines Lesebefehls mit einem Satz anfänglicher Lesespannungen und von n Lesebefehlen mit einem jeweiligen Satz kompensierter Lesespannungen, die stufenweise niedriger sind als die anfänglichen Lesespannungen und welche zum Kompensieren von Verschiebungen in Schwellspannungen in den Multi-Level-Zellen dienen, wobei n eine natürliche Zahl größer oder gleich 1 ist; Durchführen eines ersten Lesevorgangs zum Lesen der Multi-Level-Zellen in einem Speicherblock gemäß dem Lesebefehl mit dem Satz anfänglicher Lesespannungen; Bestimmen, ob eine Fehlerrate des ersten Lesevorgangs ein vorgegebenes Niveau überschreitet; falls die Fehlerrate das vorgegebene Niveau nicht überschreitet, Durchführen einer Fehlerkorrektur und Beenden des Verfahrens; Durchführen eines zweiten bis höchstens (n + 1)-ten Lesevorgangs zum Lesen der Multi-Level-Zellen in dem Speicherblock gemäß einem zweiten bis (n + 1)-ten Lesebefehl mit einem jeweiligen Satz kompensierter Lesespannungen, wenn der jeweils vorherige Lesevorgang eine Fehlerrate ergibt, die das vorgegebene Niveau überschreitet; Bestimmen, ob eine jeweilige Fehlerrate des zweiten bis höchsten n-ten Lesevorgangs ein vorgegebenes Niveau überschreitet; sobald die jeweilige Fehlerrate das vorgegebene Niveau nicht überschreitet, Durchführen einer Fehlerkorrektur und Beenden des Verfahrens; falls die Fehlerrate des n-ten Lesevorgangs das vorgegebene Niveau überschreitet, Bestimmen, ob eine Fehlerrate des (n + 1)-ten Lesevorgangs ein vorgegebenes Niveau überschreitet; falls die Fehlerrate des (n + 1)-ten Lesevorgangs das vorgegebene Niveau nicht überschreitet, Durchführen einer Fehlerkorrektur und anschließendes Durchführen eines Blockkopiervorgangs der Daten des (n + 1)-ten Lesevorgangs, um in dem Speicherblock gespeicherte Daten in einen anderen Speicherblock zu kopieren und Beenden des Verfahrens; Bezeichnen des Speicherblocks als ausgefallener Block, wenn die Fehlerrate des (n + 1)-ten Lesevorgangs das vorgegebenes Niveau überschreitet und Beenden des Verfahrens.
申请公布号 DE102007031027(B4) 申请公布日期 2016.11.24
申请号 DE20071031027 申请日期 2007.07.04
申请人 Hynix Semiconductor Inc. 发明人 Wang, Jong Hyun;Chung, Jun Seop;Joo, Seok Jin
分类号 G11C16/34;G06F11/10;G11C16/28 主分类号 G11C16/34
代理机构 代理人
主权项
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