发明名称 METHOD AND APPARATUS FOR FORMING SILICON FILM
摘要 본 발명은 에칭 후의 표면 거칠기의 악화를 억제하는 것이 가능한 실리콘막의 형성 방법 및 그 형성 장치를 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘막의 형성 방법은 표면에 홈이 형성된 피처리체의 상기 홈에 실리콘막을 형성하는 실리콘막의 형성 방법으로서, 상기 피처리체의 상기 홈을 매립하도록 불순물을 포함하는 제1 실리콘막을 성막하는 제1 성막 공정과, 상기 제1 성막 공정에서 성막된 상기 제1 실리콘막의 표면 근방에 상기 불순물을 도프하는 도핑 공정과, 상기 제1 성막 공정에서 성막된 상기 제1 실리콘막을 에칭해서 상기 홈의 개구부를 넓히는 에칭 공정과, 상기 에칭 공정에서 개구부가 넓혀진 홈에 제2 실리콘막을 매립하도록 성막하는 제2 성막 공정을 포함한다.
申请公布号 KR101689925(B1) 申请公布日期 2016.12.26
申请号 KR20140004086 申请日期 2014.01.13
申请人 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 发明人 고모리, 가츠히코
分类号 H01L21/02;H01L21/285;H01L21/3205;H01L21/3213;H01L21/3215;H01L21/768 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人
主权项
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