| 发明名称 |
VERFAHREN ZUR KOMPENSATION VON GRENZFLACHENLADUNGEN BEI EPITAKTISCH AUF EIN SUBSTRAT AUFGEWACHSENEN SILIZIUMDUNNSCHICHTEN |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
AT340480(B) |
申请公布日期 |
1977.12.12 |
| 申请号 |
AT19740006401 |
申请日期 |
1974.08.05 |
| 申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
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| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/00;H01L21/265;H01L21/314;H01L21/86;H01L29/786;(IPC1-7):H01L21/22;H01L21/26 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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