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发明名称
PRODUCTION OF MIS SEMICONDUCTOR DEVICE PROVIDED WITH TWO LAYERS OF POLYCRYSTALLINE SILICON WIRING LAYERS
摘要
申请公布号
JPS5389689(A)
申请公布日期
1978.08.07
申请号
JP19770003952
申请日期
1977.01.19
申请人
HITACHI LTD
发明人
SHIMADA SHIGERU
分类号
H01L27/10;H01L21/302;H01L21/306;H01L21/3205;H01L21/8242;H01L23/52;H01L27/108;H01L29/40;H01L29/78
主分类号
H01L27/10
代理机构
代理人
主权项
地址
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