发明名称 PRODUCTION OF MIS SEMICONDUCTOR DEVICE PROVIDED WITH TWO LAYERS OF POLYCRYSTALLINE SILICON WIRING LAYERS
摘要
申请公布号 JPS5389689(A) 申请公布日期 1978.08.07
申请号 JP19770003952 申请日期 1977.01.19
申请人 HITACHI LTD 发明人 SHIMADA SHIGERU
分类号 H01L27/10;H01L21/302;H01L21/306;H01L21/3205;H01L21/8242;H01L23/52;H01L27/108;H01L29/40;H01L29/78 主分类号 H01L27/10
代理机构 代理人
主权项
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