| 摘要 |
<P>L'invention concerne un procédé pour déposer par pulvérisation une couche additionnelle sur une ou plusieurs couches situées à la surface d'un substrat, notamment pour composants à semi-conducteurs. </P><P>Selon ce procédé sur un ensemble formé de couches 2, 3, 4 disposées sur un substrat 1 et ayant subi une attaque chimique et laissant une structure 14 en surplomb et des parties corrodées sousjacentes 20, on dépose une couche supplémentaire 12 par pulvérisation et pour remplir ou donner une forme en biseau aux parties corrodées sousjacentes lors de la pulvérisation, on applique au substrat 1 une tension de polarisation comprise entre 1/10 et 1/3 de la tension de cible de la source de pulvérisation. </P><P>Application notamment à la fabrication de composants à semi-conducteurs.</P>
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