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<P>L'invention concerne la croissance de couches d'oxyde sur des plaquettes de silicium. </P><P>Elle se rapporte à un procédé dans lequel la croissance des couches d'oxyde est réalisée à pression et température élevées dans une chambre de réaction, sous l'action de gaz oxydant qui circule de façon continu dans une chambre de réaction. Celle-ci est maintenu dans une chambre sous pression, et un régulateur de pression maintient la même pression des deux côtes de la paroi de la chambre de réaction. </P><P>Application à la fabrication des dispositifs à semi-conducteurs.</P>
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