METHODE DE FABRICATION DE LASER A INJECTION A DOUBLE HETEROSTRUCTURE

摘要

La présente invention concerne une méthode de fabrication de laser semi-conducteur à injection à double hétérostructure. Une double hétérostructure est constituée d'une couche active 32 comprise entre deux autres couches 31, 33 dont la supérieure est partagée par une jonction p-n donnant à la zone adjacente à la couche active le même type de conductibilité que cette dernière. La face supérieure du matériau semi-conducteur est munie d'un masque 36 imperméable sur toute la longueur duquel est ménagée une fente à travers laquelle il est procédé à une diffusion de dopants tels qu'il y a déplacement de la jonction p-n sous-jacente à la fente. L'invention trouve son application dans la réalisation de dispositifs semi-conducteurs.