| 摘要 |
<P>Dispositif à semi-conducteur du type transistor à hétérojonctions à grande vitesse. </P><P>La figure représente un transistor sous forme monolithique, intégré dans un substrat 61. L'émetteur, la base et le collecteur sont respectivement référencés 66, 64 et 80. Les contacts ohmiques avec ces régions sont respectivement référencés en 78, 76 et 74. Ce transistor est essentiellement caractérisé en ce que le matériau émetteur et le matériau de collecteur ayant des bandes interdites qui sont décalées dans le même sens par rapport à la bande interdite de la base et la chevauchent au moins partiellement, en outre la base est suffisamment mince pour que les porteurs de charge puisse se déplacer de l'émetteur au collecteur, en franchissant la base par effet tunneL </P><P>Application à l'industrie des semi-conducteurs et plus particulierement aux transistors de commutation très rapides.</P>
|
