| 主权项 |
1﹒具有一本体之一种光电装置,其组成包括:该本体内之一太阳辐射透明层,此透明层具有一入射表面,在此入射表面上太阳辐射能撞击此本体,且在其中该透明层之厚度在使入射表面,在太阳辐射谱之一预定第一波长时,对入射之太阳辐射实质上不反射;以及该本体中之一作用区,此作用区与透明层之结合厚度在使该入射表面,在太阳辐射谱中之一预定第二波长时,对入射之太阳辐射实质上不反射,此第二波长辐射较之第一波长辐射有一较高之波长。2﹒根据上述请求专利部份第1项之光电装置,其中一金属层系在透明层与作用区之间且与之相邻接,该金属膜系属于一种能与作用区形成一表面能障接面之材料。3﹒根据上述请求专利部份第2项之光电装置,其组成包括与该作用区相连而与该透明层相对之一基质,此基质可对横过此作用区之太阳辐射产生反射,并包括通至作用区之一电气接触。4﹒根据上述请求专利部份第3项之光电装置,其中该作用区系由矽甲烷中辉光放电所制造之非结晶矽所构成,其第一预定波长大约为五000埃,及第二预定波长大约为六五00埃。5﹒根据上述请求专利部份第4项之光电装置,其中该作用区之厚度大约为三二五0埃,该透明层由二氧化钛制成,其厚度大约为三四0埃,以及该金属层系由白金构成,其厚度大约为七五埃。6﹒根据上述请求专利部份第1项之光电装置,其中该作用区具有一第一层及一第二层,此第一及第二层均为同一导电型,并且第二层系属于一较高导电浓度者。7﹒根据上述请求专利部份第6项之光电装置,其进一步之组成包括位于透明层与第二层之间并与之相邻接之一金属层,此金属层系由一种能与透明层及第二层完成良好电气接触之材料所制成。8﹒根据上述请求专利部份第7项之光电装置,其组成包含连接至与透明层相对之作用区之第一层之一基质,此基质系由一种能与作用区构成一表面能障接面之材料所制成,并系可对横过作用区之太阳辐射产生反射者。9﹒根据上述请求专利部份第8项之光电装置,其中作用区之第一层系由矽甲烷中之辉光放电所制造之非结晶矽所构成,该作用区之第二层系属于一种搀杂过之非结晶矽,乃由矽甲烷与一种搀杂气体之混合物经辉光放电所制成,该第一预定波长大约为五000埃,以及该第二预定波长大约为六五00埃。10﹒根据上述请求专利部份第9项之光电装置,其中该作用区之厚度大约为三二00埃,而该透明层系由厚度为大约五二五埃之二氧化铟锡所构成者。11﹒根据上述请求专利部份第1项之光电装置,其中该作用区乃系一种厚度在0﹒一至一0微米范围内之薄膜。 |
