摘要 |
<P>L'invention concerne la polarisation des circuits à transistors MOS. </P><P>Un circuit générateur de tension de polarisation de grille arrière comprend essentiellement trois transistors MOS Q4, Q5, Q6, avec un élément de charge distinct Q1, Q2, Q3 branché au drain de chacun d'eux, et un transistor de limitation de tension Q7 branché à une borne de sortie 16. Les deux entrées de ce circuit reçoivent respectivement le potentiel d'alimentation VCC et le potentiel du substrat VSub, et le potentiel sur la borne de sortie 16 n'est pas le même lorsque les potentiels d'entrée sont compris dans les plages normales, et lorsqu'ils sont à l'extérieur de ces plages. </P><P>Application aux mémoires à semi-conducteurs.</P>
|