| 发明名称 | 掺杂多晶硅层的形成方法以及半导体器件的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种掺杂多晶硅层的形成方法以及半导体器件的形成方法，其中掺杂多晶硅层的形成方法包括：向反应腔室内提供硅源气体、掺杂源气体以及中性原子源气体，形成掺杂多晶硅层，其中，所述掺杂源气体提供掺杂离子，所述中性原子源气体提供中性原子，且在形成掺杂多晶硅层的过程中，掺杂多晶硅层中的中性原子适于阻止掺杂离子凝聚，掺杂离子适于对硅原子具有吸附作用。本发明提高了形成的掺杂多晶硅层表面平坦度，避免在掺杂多晶硅层表面形成鼓包缺陷。 | ||
| 申请公布号 | CN105990121A | 申请公布日期 | 2016.10.05 |
| 申请号 | CN201510053246.X | 申请日期 | 2015.02.02 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 林静;禹国宾 |
| 分类号 | H01L21/285(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/285(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 应战;骆苏华 |
| 主权项 | 一种掺杂多晶硅层的形成方法，其特征在于，包括：向反应腔室内提供硅源气体、掺杂源气体以及中性原子源气体，形成掺杂多晶硅层，其中，所述掺杂源气体提供掺杂离子，所述中性原子源气体提供中性原子，且在形成掺杂多晶硅层的过程中，掺杂多晶硅层中的中性原子适于阻止掺杂离子凝聚，掺杂离子适于对硅原子具有吸附作用。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||