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Die Erfindung betrifft einen monolithisch integrierten Halbleiterspeicher mit längs paralleler Zeilen bzw. Spalten angeordneten Speicherzellen, bei dem die zu den einzelnen Zeilen bzw. Spalten gehörenden Speicherzellen mit einander über entsprechend geführte elektrische Leitungen in Verbindung stehen. Dabei ist gemäß der Erfindung vorgesehen, daß die einzelnen Speicherzellen Sik dieser Matrix M als taktgesteuerte Schieberegisterzellen ausgebildet sind. Bevorzugt ist die Schaltung der einzelnen Zellen so getroffen, daß die Zellen jeder Zeile und die Zellen jeder Spalten zusammen jeweils ein Schieberegister bilden, und daß die Impulse einer ersten Taktfolge TM2 die Information zeilenparallel und die Impulse einer zweiten Taktfolge TM3 die Information spaltenparallel verschieben. Die Anordnung ist z.B. zur Erkennung charakteristischer Binärwörter geeignet.
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