| 摘要 |
박막 트랜지스터 어레이 장치(20)는, 보텀 게이트형의 제1 및 제2 트랜지스터를 구비하고, 소스 배선(22)은, 제1 트랜지스터에 포함되는 제1 소스 전극(42)과 다른 층인 패시베이션막 상에 배치되고, 패시베이션막에 형성된 제2 구멍부를 통하여 제1 소스 전극(42)과 전기적으로 접속되고, 패시베이션막 상에 적층된 도전 산화물막은, 개구부로부터 노출된 게이트 배선(21)의 단부를 덮고, 도전 산화물막은, 패시베이션막과 소스 배선(22) 및 중계 전극(55)의 사이에 개재하고, 소스 배선(22)과 중계 전극(55)의 사이에서는 전기적으로 비접속으로 되어 있고, 도전 산화물막은, 중계 전극(55)과 소스 전극(53)의 사이에 개재하여, 중계 전극(55)과 소스 전극(53)을 전기적으로 접속시키고, 중계 전극(55)은, 패시베이션막 상의 소스 배선(22)과 동층에 형성되고, 소스 배선(22)과 동일 재료로 이루어진다. |
