| 主权项 |
1﹒一种在某一个选定的基底表面上形成一层选定物料之氧化物层的方法,该法包括以下的步骤,即让该基底暴露于一种汽相反应物及一种含氧母体之中,其中同时含有一种预定波长的辐射线为产生中性氧原子,该氧原子能在选定的温度,压力以及流速状态下与该汽相反应物起反应作用而形成上述氧化物层。2﹒如专利请求1项的方法,其中上述汽相反应物包含矽,锗,镓,硼,铟,铝,钛,钨,或铪。3﹒如专利请求2项的方法,其中上述汽相反应物是为矽烷(SiH4),而上述氧化物是为二氧化矽及(或)一氧化矽。4﹒如前述任一项专利请求的方法,其中上述含氧母体是为氧化氮(N2O),二氧化氮(NO2),或氧分子(O2)。5﹒如前述任一项专利请求的方法,其中氧化物层是在藉光化方法产生的添加 剂原子共同存在下形成者,如此为将此种添加剂原子加入该氧化物之中。6﹒如前述任一项专利请求的方法,其中得将水银蒸汽加入上述反应物及上述母体之中而使一种选定的含氧母体起水银感光离解作用。7﹒如专利请求6项的方法,其中上述含氧母体是为氧化氮(N2O),而汽相反应物是为矽烷(SiH4),该方法是在一种静态光化反应器中施行者,其中气体比率SiH4对N2O是为3对12毫米,而实行该方法使得温度为30到200℃。8﹒如专利请求6项的方法,其中含氧母体是为氧化氮(N2O),汽相反应物是为矽烷(SiH4),该方法是在一个连续流动性光化反应器中施行者,其所用的气流比率SiH4对N2O为2对10标准立方公分/分(SCCm),而该方法施行时的温度为30到200℃。9﹒如专利请求1─5项中任一项的方法,其中含氧母体是为氧化氮(N2O),汽相反应物是为矽烷(SiH4),而预定的波长长为1750到1950A,而气流比率SiH4对N2O为2对60标准立方公分/分,该方法施行时的温度为30到200℃,而氧化物是为二氧化矽(SiO2)。10﹒如专利请求1─5项中任一项的方法,其中含氧母体是为氧分子(O2),并有氮(N2)与其混合在一起,上述预定波长为1849A,汽相反应物则为矽烷(SiH4),上述压力为0到5Torr,而气流比率SiH4对O2对N2是为1对20对80标准立方公分/分。11﹒如专利请求5或6项的方法,其中有一种含添加剂的母体,该母体是为磷化氢(PH3),乙硼烷(B2H6),砷化三氢(AsH3),锑化三氢(SbH3),硒化二氢(H2Se),硫化二氢(H2S),或者碲化二氢(H2Te)。 |
