| 发明名称 | 一种纯硅芯低损耗光纤的制造方法 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种纯硅芯低损耗光纤的制造方法，包括：对掺氟沉积管的内壁进行蚀刻；在所述掺氟沉积管内沉积二氧化硅并进行玻璃化，形成二氧化硅芯层；将具有所述二氧化硅芯层的所述掺氟沉积管熔缩为实心的芯棒，其中，所述掺氟沉积管形成内包层；在所述芯棒的外部沉积二氧化硅，形成外包层，制成纯硅芯光纤预制棒；将所述纯硅芯光纤预制棒进行拉丝，制成纯硅芯低损耗光纤。本发明提供的上述纯硅芯低损耗光纤的制造方法，能够避免氟元素扩散进入芯层和芯层的OH<sup>‑</sup>含量超标，保证拉丝光纤的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN106116135A | 申请公布日期 | 2016.11.16 |
| 申请号 | CN201610463104.5 | 申请日期 | 2016.06.21 |
| 申请人 | 浙江富通光纤技术有限公司;富通集团有限公司;杭州富通通信技术股份有限公司 | 发明人 | 马静;冯高锋;杨军勇;章海峰;陈坚盾 |
| 分类号 | C03B37/014(2006.01)I;C03B37/018(2006.01)I;C03B37/027(2006.01)I | 主分类号 | C03B37/014(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 罗满 |
| 主权项 | 一种纯硅芯低损耗光纤的制造方法，其特征在于，包括：对掺氟沉积管的内壁进行蚀刻；在所述掺氟沉积管内沉积二氧化硅并进行玻璃化，形成二氧化硅芯层；将具有所述二氧化硅芯层的所述掺氟沉积管熔缩为实心的芯棒，其中，所述掺氟沉积管形成内包层；在所述芯棒的外部沉积二氧化硅，形成外包层，制成纯硅芯光纤预制棒；将所述纯硅芯光纤预制棒进行拉丝，制成纯硅芯低损耗光纤。 | ||
| 地址 | 311422 浙江省杭州市富阳市富阳经济开发区银湖科技创意园 | ||