| 主权项 |
1﹒在一使每分子含8个碳原子之芳族烃异构化以制对二甲苯和邻二甲苯之方法中,乃使上述芳族烃在异构化带与一异构化触媒于合乎此异构化之升高温度和压力及于加入氢之存在下接触并自该带取出接触之产物,此法之改良包含将按送入此异构化带之总进料的约1-10%重量之至少一种每分子含至少5个碳原子之脂族烃引入该异构化带内。2﹒依请求专利部份第1项之制法,其中至少一部份上述脂族烃乃藉使主要由上述脂族烃组成之循环料流与由上述带中排出之接触物质分离而被引入该带内。3﹒依请求专利部份第1项或第2项之制法,其中上述脂族烃每分子有5-7个碳原子。4﹒依请求专利部份第3﹒项之制法,其中上述脂族烃系正戊烷。5﹒依请求专利部份第1项或第2项之制法,其中至少一部份上述脂族烃系正戊烷之先质,该先质在上述异构化带之条件下可产生正戊烷。6﹒依请求专利部份第1项或第2项之制法,其中上述触媒乃由一贵金属被支持在一矽石一矾土基质上而成。7﹒依请求专利部份第6﹒项之制法,其中上述矽石一矾土基质乃由矾土混合沸石而成。8﹒依请求专利部份第1项或第2项之制法,其中上述触媒乃由一贵金属淀积于支持体(或译载体)上而成,该支持体系一矾土与氢丝光沸石之混合物。9﹒依请求专利部份第1项或第2项之制法,其中上述触媒乃由铂被支持于矽石一矾土基质上而成。10﹒依请求专利部份第1项或第2项之制法,其中上述触媒乃由0﹒1-0﹒5%重量之铂淀积于一含15─50%重量之氢丝光沸石和50-85%重量之一矾土之基质上而成。11﹒依请求专利部份第1项或第2项之制法,其中上述低分子量烃乃C5─C7烃之混合物。12﹒依请求专利部份第1项或第2项之制法,其中引入上述异构化带内之上述脂族烃为总进料之约2─6%重量。13﹒依请求专利部份第1项或第2项之制法,其中上述脂族烃为总进料之约4-6%重量。 |
